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- 简要说明P+F倍加福传感器NBN8-12GM50-E2-V1

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简要说明P+F倍加福传感器NBN8-12GM50-E2-V1
参数:
工作电压UB6 ... 36 V
开关频率f0 ... 1650 Hz
迟滞H类型 5 %
反极性保护反极性保护
短路保护脉冲式
电压降Ud≤ 1 V
工作电流IL0 ... 200 mA
断态电流Ir最大 20 µA
空载电流I0≤ 10 mA
可用前的时间延迟tv≤ 10 ms
开关状态指示灯黄色多孔 LED

分析:
在基础学科研究中,传感器更具有突出的地位。现代科学技术的发展,进入了许多新领域:例如在宏观上要观察上千光年科学研究的障碍,首先就在于对象信息的获取存在困难,而一些新机理和的茫茫宇宙,微观上要观察小到fm的粒子世界,纵向上要观察长达数十万年的天体演化,短到 s的瞬间反应。此外,还出现了对深化物质认识、开拓新能源、新材料等具有重要作用的各种端技术研究,如超高温、超低温、超高压、超高真空、强磁场、超弱磁场等等。显然,要获取大量人类感官无法直接获取的信息,没有相适应的传感器是不可能的。许多基础高灵敏度的检测传感器的出现,往往会导致该领域内的突破。一些传感器的发展,往往是一些边缘学科开发的先驱。
简要说明P+F倍加福传感器NBN8-12GM50-E2-V1

